RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Comparar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6
18.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,935.8
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
45
Por volta de -80% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
25
Velocidade de leitura, GB/s
6,336.8
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,935.8
17.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1144
4039
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link