RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Comparar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
46
Por volta de 2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,935.8
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
46
Velocidade de leitura, GB/s
6,336.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,935.8
12.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1144
2660
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link