RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Comparar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Pontuação geral
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
71
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.4
2,935.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
71
Velocidade de leitura, GB/s
6,336.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,935.8
6.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1144
1650
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link