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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Razões a considerar
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
26
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2346
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
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