RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
38
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2163
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
InnoDisk Corporation 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link