RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
54
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
10.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
54
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
10.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2277
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link