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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Razões a considerar
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
26
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3211
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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