RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
64
Por volta de 59% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
64
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2052
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link