RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
26
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
18
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
17.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3814
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5469-035.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link