RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
67
Por volta de 63% menor latência
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
67
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2135
2042
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link