RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Comparar
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation M424016 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation M424016 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
36
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
31
Velocidade de leitura, GB/s
14.8
12.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
9.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2481
2035
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB Comparações de RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link