RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
59
Por volta de 39% menor latência
Razões a considerar
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
59
Velocidade de leitura, GB/s
14.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
9.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2481
2181
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link