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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de 39% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
46
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2014
2660
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
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