RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
31
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
25
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
3023
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Comparações de RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link