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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
31
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
10.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
29
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
12.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
3273
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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