RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
31
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.3
10.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
26
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
17.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
3938
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link