RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
33
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
16.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
10.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
33
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
11.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
2930
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link