RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
33
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
16.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
10.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
33
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
10.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
2795
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link