RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
36
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
10.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
36
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
2581
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link