RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
36
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
36
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
2474
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link