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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
37
Por volta de 16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
9.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
37
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
9.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
2277
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
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