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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
33
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
33
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
10.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
3035
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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