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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Razões a considerar
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
31
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
10.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
22
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
14.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
3394
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
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