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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
32
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
10.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
32
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
10.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
2349
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
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Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
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