RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
31
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.8
10.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
23
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
18.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
4095
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
SK Hynix 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link