RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
31
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
10.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.8
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.8
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2904
3495
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Comparações de RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link