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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
10.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.4
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2729
2416
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
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