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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
8.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
36
Por volta de -9% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.4
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
8.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2729
2200
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
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