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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
75
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
7.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
75
Velocidade de leitura, GB/s
16.4
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
7.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2729
1763
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
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