RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Comparar
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
34
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.8
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.3
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2968
3025
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link