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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
34
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
16.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.8
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.3
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2968
3035
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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