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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
34
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.8
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.3
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2968
2910
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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