RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
18.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
26
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
14.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
3596
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link