RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
36
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
10.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
36
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
10.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
2416
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link