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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
48
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
48
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
2852
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Comparações de RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 9905474-012.A00LF 2GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
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