RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
26
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
2728
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link