RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
40
Por volta de 30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
9.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
40
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
9.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
6.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
2031
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link