RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
2833
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link