RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
10600
Por volta de 2.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
23400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
3310
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link