RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
10600
Por volta de 2.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
23400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
3310
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link