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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
56
Por volta de 50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
7.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
4.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
56
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
7.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
4.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
1598
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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InnoDisk Corporation 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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