RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
31
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
12.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
21
31
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.2
13.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3130
3318
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparações de RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link