RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
32
Por volta de 34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
12.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
21
32
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.2
13.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3130
3278
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparações de RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link