RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Comparar
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
122
Por volta de 83% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
5.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
21
122
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
9.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.2
5.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3130
1411
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparações de RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link