RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Comparar
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
13.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de -4% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
27
Velocidade de leitura, GB/s
18.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
14.1
13.0
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3537
2735
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link