RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Comparar
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
31
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
19
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.2
15.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
31
Velocidade de leitura, GB/s
19.0
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
15.6
18.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3600
3738
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link