RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Comparar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
33
Por volta de 12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
24
17
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
20.0
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
33
Velocidade de leitura, GB/s
24.0
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
20.0
14.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
4156
3422
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link