RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Comparar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
32
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
24
11.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
20.0
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
32
Velocidade de leitura, GB/s
24.0
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
20.0
7.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
4156
2292
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link