RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Comparar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
32
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
24
11.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
20.0
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
32
Velocidade de leitura, GB/s
24.0
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
20.0
7.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
4156
2292
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link