RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Comparar
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
54
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
54
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
15.7
8.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3867
2226
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link