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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
15.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3693
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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