RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
49
Por volta de -69% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
13.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2983
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link